三星电子宣布大规模生产10 nm LPDDR 5 DRAM芯片

2020-09-01 09:04:06 来源:网络

资料来源:奎衡网

随着全球芯片加工技术的不断发展,韩国科技巨头三星电子(SamsungElectronics)宣布,它已经开始大规模生产第三代10nmlpddr5dram芯片,该芯片采用极端紫外线(EUV)光刻技术,领先于行业,预计该技术将在未来走向个位数纳米工艺。

三星电子宣布,其位于韩国平泽的第二条半导体生产线已开始大规模生产,领先于世界上第三代10nmlpddr5dram芯片,达到了该行业最大的容量和最快的速度。

三星电子最新的10nmlpddr5dram芯片的传输速度为6400MB/s,比目前市场上旗舰智能手机的12gblpddr5dram芯片快16%。该公司还指出,拥有16GB内存的智能手机将能够每秒传输51.2GB数据,相当于10部高质量电影。

此外,最新的10nmlpddr5dram芯片比以前的产品薄30%,将有助于为配备多种部件的产品提供最佳解决方案,如高级摄像电话或5g手机,以及厚度考虑的产品,如折叠式手机。

报告称,今年2月,三星电子(SamsungElectronics)开始使用第二代10nm工艺技术大规模生产16gblpddr5dram。短短6个月内,该公司进一步加强了其先进的动作制片组合,包括引入了新一代芯片加工技术。

在DRAM领域,韩国SK大力神(SKHercules)在全球排名第二,市场份额仅次于三星电子(SamsungElectronics)。如今,SK大力神还在积极开发EUV技术在第四代10nm产品中的应用,并计划在2021年前大规模生产,而三星电子(SamsungElectronics)的SK大力神(SKHercules)则落后约6个月至1年。

[资料来源:cinno]

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