日本惠普公司误删京都大学超算系统77TB重要数据

2021-12-30 09:27:52 文章来源:网络

据京都大学主页的公报显示,本次数据丢失事件发生在 12 月 14 日 到 12 月 16 日之间,一共删除了/LARGE0 目录下的 3400 多万个文件,总容量大约 77 TB,其中有 49 TB 数据可以从备份**,28 TB 数据完全丢失。

具体事故的原因日本惠普也在 声明 PDF 中做了详细说明。

惠普用于超算系统的备份脚本会使用 find 命令找出无用的 Log 文件并删除,**近日本惠普为了提高程序的“可读**”对传给 find 命令的变量名做了一些修改,然后更新了系统中的脚本,但是没考虑到 Bash 会在运行过程中实时读取脚本文件然后执行,于是尚在执行中的备份程序读取了新脚本中的 find 指令,**终导致误删文件。

惠普日本在“谢罪声明”中表示对此次事件负全责,并承诺赔偿和善后。

编者记: Bash 在解析 Shell 脚本时,是边解析边执行的,并不是将脚本一次**读入内存后执行。如果脚本在执行时,我们用新脚本覆盖了旧脚本,而且文件的 inode 没有发生变化(比如使用 `cp new.sh old.sh`,old.sh 内容变了,但 inode 不会变),那么 Bash 就会解析更新后的内容并执行。

来源:环球Tech

▲科研人员在实验室工艺**上制备单质碲开关器件。

智能时代对海量数据、超快运算的要求不断提升,体积更小、耗电更省、寿命更长的“未来存储器”也成为业界的一大研发重点。**科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究团队经过20年的不懈努力,研制出了一种单质碲新型存储开关器件,其**能稳定、漏电量小、寿命长,展现出十分诱人的应用前景。**新出版的国际著名学术期刊《科学》报道了这一“前所未有的”基础研究成果。

大到数据中心,小到小小芯片,都离不开动态内存(DRAM)。现在通用的DRAM有一个致命缺点,那就是怕断电——一旦断电,内存中的数据就会瞬间消失,再也找不回来。虽然也有可随时保存数据的闪存(FLASH),但数据擦写、读取都很慢,科学家总希望找到一种更**的下**存储器。

相变存储器(PCM)就是这样一种理想的存储器:它通过电流和电场的开关,让存储材料在晶态和非晶态间切换。一开一关改变的是材料的物理状态,即使断电,这种状态也不会消失,同时还可快速擦写。以100兆数据搜索为例,用PCM只需1秒,比传统存储器快了19倍,而100兆的数据量相当于一部《二十五史》的信息量。

随着数字经济、5G、物联网、人工智能的兴起和发展,数据**发式增长,人类社会正步入到以大数据为特征的智能化时代,这对信息存储和处理带来极大挑战。PCM也从**向三维发展,制造工艺对三维PCM(3D PCM)材料提出了更为苛刻的要求。早在2002年,宋志棠就开始关注这个方向。他的课题组从2003年开始不断寻找适合做3D PCM的相变材料和开关材料。

“当全世界寻找的开关材料越来越复杂,我们却想反其道而行之。”2017年,宋志棠的**朱敏结束德国“洪堡学者”访学项目归国,加入研究组,开始重新审视一种广为人知的半导体材料——碲。朱敏研究员解释,材料组成越复杂,在纳米尺度上就越难做得均匀,这样就制约了3D PCM的寿命和存储密度的提升。他们在实验中发现,单质碲竟然还有着尚未被人们察觉的特**:它可以在-10℃至400℃的宽广温度范围内,在电压作用下,在具有半导体特**的晶态与具有类金属特**的液态之间快速切换,从而形成肖特基结或欧姆接触。

由于单质碲材料**简单,液态时电阻跟金属一样低,故而驱动电流强大、**能稳定,开关寿命可长达1亿多次,且漏电量小。而且,单质碲的沉积无需高温,这对于存储器的3D层叠加工至关重要。

经过四年多攻关,研究组在世界上首创了新型单质碲存储开关器件。《科学》杂志高级编辑布伦特·格罗乔斯基以“单质开关”为题发表**认为,这种纯碲器件“能够进行快速的相转变”“为避免多元素相变材料引发的问题,提供了十分吸引人的应用前景”。意大利**研究委员会微电子和微系统所教授拉法埃拉·卡拉尔科认为,宋志棠、朱敏等研究人员的成果是“前所未有的”,“为实现晶态单质开关器件提供了稳健的方法,也为3D PCM的研发提供了新视角”。

“接下来,我们将进行大量工程化验证。”宋志棠表示,一旦工程化验证完成,该技术将有更明确的市场方向。同时他们相信,“固液开关理论”也将成为相变存储领域中一个重要的创新方向。

作者:许琦敏

编辑:施薇

来源:文汇网

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